| 型号：IPB45N06S3L-13 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 45A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 13.1 毫欧 @ 26A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.2V @ 30µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 75nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3600pF @ 25V |
| 功率_最大 | 65W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市修发电子科技有限公司 | 罗小姐086-0755-83011539 |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市潮南大宇电子有限公司 | 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877 |
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FET - 单
Infineon Technologies
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
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INDUCTOR WW 47UH 5% 1210
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CONN RCPT 10POS FLANGE W/SKT
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SENS FIBER 40MM TIP
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Infineon Technologies
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
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9-DIP 模块
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圆柱形，有螺纹 - M30
PROXIMITY SENSOR M30 18MM NC
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Vishay Dale
1210（3225 公制）
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TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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Infineon Technologies
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
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SENSOR FIBER FOR SCP 1 TUBE
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CONN RCPT 10POS JAM NUT W/SKT
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CONN RCPT 10POS FLANGE W/SKT
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Omron Electronics Inc-IA Div
圆柱形，有螺纹 - M12
SENS PROX M12 2MM NPN-NO SHIELD
